Título/s: HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
Autor/es: Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P.
Institución: GIA, GAIANN, CAC-CNEA. San Martín, Bs. As, AR
CIC nanoGUNE. Donostia-San Sebastián, ES
INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires, AR
IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao, ES
Université de Nantes. IMN, CNRS. Nantes, FR
ECyT, UNSAM. San Martín, Bs. As., AR
Editor: American Institute of Physics
Palabras clave: Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas
Idioma: eng
Fecha: 2014
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