Título/s: Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
Autor/es: Real, M.A.; Tonina, A.; Elmquist, R.E.; Lass, E.A.; Liu, F.H.; Soons, J.
Institución: Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
National Institute of Standards and Tecgnology. NIST. Maryland, AR
Editor: INTI
Palabras clave: Circuitos integrados; Carburos; Silicio
Idioma: spa
Fecha: 2013
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