Título/s: Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar
Autor/es: Real, Mariano; Tonina, A.; Elmquist, Randolph E.; Lass, Eric A.; Liu, Fan-Hung; Soons, Johannes A.
Institución: INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. New York, US
Editor: INTI
Palabras clave: Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Difusión; Crecimiento; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos
Idioma: spa
Fecha: 2013
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