Título/s: Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards
Autor/es: Real, Mariano; Lass, Eric A.; Liu, Fan-Hung; Shen, Tian; Jones, George R.; Soons, Johannes A.; Newell, David B.; Davydov, Albert V.; Elmquist, Randolph E.
Institución: INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York, US
Editor: IEEE
Palabras clave: Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Difusión; Crecimiento; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos
Idioma: eng
Fecha: 2013
Notas: Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta"
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